“BIOS刷新”其实不目生，因为通过“刷新BIOS”不单能够增加新功用，并且能够处理一些兼容上的问题。但是我们在刷新的过程中，有时会呈现一些如许、那样的问题，而使刷新失败。那么是什么原因形成刷新失败呢?其实假设你领会一下BIOS的刷新过程，将解开那些疑问。
要将BIOS文件写进到BIOS芯片中，要涉及到:BIOS文件、BIOS芯片以及BIOS刷新法式。因而我们就从那三方面做一下详尽介绍。(次要介绍BIOS芯片，因为领会了BIOS芯片，也就大白了刷新的过程)
BIOS从类型上可分为:AWARD BIOS、AMI BIOS、Phoenix BIOS。
三种BIOS各有各的特征(我们那里不详尽阐明)，但是无论是那一类型的BIOS，都是给系统硬件供给更低层、最间接的驱动。BIOS文件是一个压缩的二进造文件(以AWARD BIOS为例，AMIBIOS的原理与其是一致的，有些处所以至完全一致。如其两种BIOS文件的BOOT块起始地址，1M文件都从1E000H处起头，2M文件从3E000H处起头)(图一)，大致可分为三部门，一部门称为SYSTEM BIOS，是系统中最根本的部门，文件名一般为Original。
tmp，所有的BIOS都有那一部门(图二)，此中包罗有根本的BIOS法式、提醒信息及指令等;其实那一部门同时也是解压缩法式，在那以后的各模块次要是靠此部门来解压缩的;同时在此中定义了文件的觅址空间。我们用MODBIN法式翻开一个BIOS文件时，其暂时文件即为SYSTEM BIOS模块，大小为128K(日常平凡，我们修改BIOS中的内容，次要是修改那部门)。
第二部门为扩展BIOS法式，是各个厂商本身定造的差别于原则Award BIOS的功用，现实上几乎所有的厂商城市增加那一部门内容;然后是CPU微代码、ACPI等模块，我们能够在那其间加进其它模块(如捷波恢复精灵);第三部门为BOOT BLOCK块，那也是BIOS文件中独一没有被压缩的模块，因其撑持ISA显卡和软驱，因而当BIOS被毁坏后，我们能够操纵那一部门来启动机器并从头恢复。
BIOS文件一般有1M(128KB*8)、2M(256KB*)、4M(512K*8)之分。1Mbit=8*128Kbyte(1Byte=8bit)
BIOS芯片，其实就是BIOS文件的载体。BIOS文件存储在芯片中，通过芯片的外部接口可对芯片中的法式停止擦除和读写。
BIOS芯片我们能够理解为一个有多个单位的楼房(芯片的存储单位)，每一个单位存储一个二进造代码(0或1)。二进造的BIOS文件，就是如许逐个按挨次摆列存储在芯片中的。BIOS芯片根据存储原理和工艺，能够分为EPROM、EEPROM、FLASHROM等。
EPROM长短易失型存储器(图三)(图四)，
具有掉电不丧失的特征;其存储单位由浮栅型场效应管构成，操纵高压使浮栅带电实现对芯片的写进，擦除内部数据靠紫外线消弭浮栅上的电荷，使其不带电。EPROM工做电压为5V，在写进时要用公用的编程器，而且写进时必需要加必然的编程电压(VPP=12-24V，随差别的芯片型号而定)，EPROM的型号是以27开头(如ATMEL27C020)。
EEPROM是电擦除非易失型存储器(图五)(图六)，其存储单位也是由浮栅型场效应管构成，写进时，操纵高压下的隧道效应，令浮栅带电;擦除时，仍是操纵高压下的隧道效应，不外电压极性相反，因而令浮栅不带电。EEPROM工做电压为5V，在写进时，需要加上必然的编程电压(VPP=12V)，EERPROM的型号以28开头(如AM28F020)。
FLASH ROM也是电擦除非易失型存储器(快擦写存储芯片)(图七)(图八)，其也是浮栅型场效应管构成，写进时，操纵热电子注进，使浮栅带电;擦除时，则操纵高压下的隧道效应，使浮栅失往电子。FLASH ROM的工做和刷新电压都是5V，其型号一般为29、39、49开头(如SST 39SF020)。
目前主板上的BIOS芯片，根本上都属于FLASH ROM。 BIOS芯片有三种根本操做:读取、擦除、编程。要领会以上操做过程，起首领会一下芯片的构造。芯片(存储器)外部接口(引脚)可分为:数据线、地址线、掌握线、电源线(图九)。地址线用来确定命据所在的地址，数据线用来输进和输出数据。
掌握线包罗CE、OE、WE;CE是片选信号，当CE为低电日常平凡，芯片被选中(也就是能够对芯片停止任何操做，关于多BIOS芯片串联利用时，能够用CE来抉择要操做的芯片是那一片，如RD2000双BIOS系统即为用CE来切换两个BIOS芯片的，凡是主板上为单BIOS芯片，因而CE始末为低电平，也就是不断为选中);OE是输出容许，也是低电日常平凡有效，当OE为低电日常平凡，容许数据输出，也就是能够读取芯片中的内容，当OE是高电日常平凡，输出被制止，无法读取内容;WE为编程容许，也是低电平有效，当WE为低电日常平凡能够对芯片停止编程(写进)，当WE为高电日常平凡不克不及对芯片停止编程(我们可将此脚接为高电平，那么芯片就无法写进，无敌锁便是将此脚升为高电平，来庇护芯片的)。
关于EEPROM不需要擦除，能够间接停止编程操做，关于FLASH ROM，需要先擦除芯片内的内容，然后才能够写进新的内容。电原线包罗VCC、VPP、PR。。VCC为5V工做电源，VPP为28系列写进时12V电源(29系列此脚为NC，即为空脚)，PR则是28系列分块式BIOS，对BOOT BLOCK块停止编写的12V电源。
芯片无论是读取、擦除仍是编程，都需要各类信号按必然的时序、必然的电平彼此共同才气完成，掌握信号时序是由编程法式来完成的。完成那段时序的过程，也称为刷新流程(其也是一段法式码，由消费厂家供给，同型号的芯片，固然消费厂家差别，但是其刷新流程是一致的);差别的芯片，其掌握时序也是差别的，因而编程法式也会根据芯片的型号停止响应的掌握。
差别芯片，其掌握时序差别，编程法式会根据芯片的型号停止响应的掌握，刷新法式是若何识别芯片的型号呢?其实，每一种芯片，都有本身的标识，那就是芯片ID(也称为芯片的身份证)，因为差别的芯片，有差别的ID，因而刷新法式就是通过读取芯片的ID，来辨认差别的芯片，同时根据其芯片ID来挪用差别的刷新流程代码(掌握法式)，来完成对芯片的编程的。
看到那里，我们已经大致大白了刷新是若何停止的。接着我们陆续领会刷新法式是若何对芯片停止刷写的。当我们运行刷新法式时(以AWDFLASH为例)，刷新法式启动后，间接检测BIOS ID(此为BIOS文件的ID);此时在法式顶端展现BIOS的ID以及BIOS日期，但芯片类型没有展现(因为此时刷新法式是调进内存中的BIOS映象，并没有对BIOS芯片停止操做)(图十);同时提醒让你输进即将刷新的BIOS文件名(在那里强调一下，很多网友询问，下载的BIOS文件扩展名不是bin等规则扩展名，如123等。
其实BIOS文件只是一个二进造文件，所以无论什么样的扩展名，只要按其文件的文件名和扩展名完全输进即可)，当我们输进BIOS文件的途径及文件名回车后，此时刷新法式检测BIOS芯片的CE脚能否为低电平，如是低电平，则为芯片被选中，接着检测芯片的ID，然后根据BIOS ID在法式的上端(Flash Type)展现对应的BIOS芯片的型号(图十一)，同时挪用其对应的刷新流程代码(那时即可对BIOS芯片停止读写编程了)。
假设刷新法式无法读取芯片的ID，由在(Flash Type)展现Unknown Flash，那时我们是无法对BIOS芯片停止读写编程的
(形成的原因可能是BIOS芯片已经损坏，同时如刷新法式无法调进响应的刷新流程代码，则系统会没有任何提醒，而退出，那次要是因为刷新法式版本太高或太低的缘故，此时你可改换其它版本的刷新法式)(图十二)。
假设一般系统将陆续停止，提醒能否保留原BIOS，如按保留，则系统根据上步检测到的BIOS ID，调进其对应芯片的刷新流程代码，检测OE脚能否为低电平，如是低电平，则处置器按芯片的刷新流程通过A0~A17地址线确定芯片存储单位的读出地址，然后再通过D0~D7数据线将指定地址的数据从芯片中读出(一次读取8位二进造代码)，并按你输进的文件名，保留为文件。
假设我们不保留文件，而间接抉择写进，起首，系统要将我们即将写进的BIOS文件与内存中的映象文件停止ID比照(此为BIOS文件ID，那也是为什么我们用通俗修改东西无法修改ID的原因)，如纷歧致，则提醒The Program Files Part Number doesn't match with your system(图十三)，如呈现那种提醒，我们不该强逼写进;如一致则处置器按芯片的刷新流程通过A0~A17地址线确定芯片存储单位的写进地址，然后再通过D0~D7数据线将更新的BIOS文件写进到芯片的存储单位中。
一般写进后，系统将提醒重启或回到操做系统，我们能够本身抉择，至此刷新过程完成。 如今我们领会了BIOS芯片的刷新过程，以后在刷新过程中再有什么错误呈现，我们就能够清晰晓得问题及原因所在了吧!如您对BIOS刷新有差别的观点，请到笔者小居(www。
biosrepair。com)与笔者一叙。
笔者注:固然BIOS芯片的掌握线CE、OE、WE有凹凸电平之分，但在一般情状下都是低电平，也就是能够随时对芯片停止编程操做。上面我们所说的，刷新法式编程时对芯片的掌握脚停止检测，只是让各人大白刷新法式是根据芯片的刷新流程来停止读、写操做。
那就是为什么CIH病毒能够对芯片中的内容停止毁坏的原因。不外，我们能够报酬的将WE脚拉到高电平，就是先割断31脚(WE)与主板的毗连，然后和32脚(VCC)之间焊接一个1K的电阻，如许就将WE升为高电平，不克不及再对芯片写进。
风之翼