做为国内某Fab PE（process engineer，工艺工程师），无药怒答一波。
在看完楼上的那些答复后，有两个感悟。一个是百度和大学害死人，还有一个是实正的fab PE怎么会有时间来知乎！！
好了，吐槽完毕，继续答题。
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关于题主提出的问题，逐个停止解答。
1， 芯片造造工艺的22纳米级意味着什么？那里的纳米单元是指什么？
关于芯片财产而言，最重要的一个手艺目标的权衡就是关键尺寸（critical dimension，简称CD），那暗示一个fab以至是当前的芯片造造业所能到达的最小的工艺程度。但是那并非暗示所有的工艺都必需要用22nm完成，只是在一些最关键的部位，例如楼上所提到的沟道长度，其工艺的程度间接关系到最初做出的器件和整体的芯片的性能，所以越小越好。也不是说无行境的小，只是在通过各类手段将CD缩小后带来的负面效应降低到能承受的范畴后所能到达的最小线宽。
那里的nm单元就是你一般物理认知的nm单元，没有什么特殊的含义。不需要惊讶，咱们PE也都好歹是高考过来的。
2，晶体管栅极是什么感化？
晶体管栅极的感化就相当于你家点灯的开关一样，它则是每个mos管的开关。说的专业点，关于一个mos管而言，在会在必然的电压下起头工做，而那个电压被称为阈值电压，阈值电压就是加在栅极上。栅极下方对应的就是称为沟道的区域，当栅极电压小于阈值电压时，沟道不导电，大于阈值电压，沟道中就会有大量的正负电荷停止导电，他们被称为载流子。能够去搜两张mos的构造图便于理解。（那里的区域指的是mos管两头的源极和漏极，自行百度，不赘述。）
3，它的长度意味着什么？
它的长度能够理解为两地的旅程。载流子从一个区域到别的一个区域需要跑路吧？跑路有远近吧？旅程短了跑的就快了吧？跑的快了器件速度就快了吧？每个器件的速度都提上去了安兔兔2W,3W跑分就不是梦了吧？恩，就是那么简单。
4，越短越好吗？
当然不是。那个起首从一个详细实现的角度来讲，你不成能无限短下去，造造业也是工业啊，工业是有极限的。限于机器限于人力。然后从科学的角度来讲，当你沟道短到必然水平后，和你传输电流的载流子大小接近，你能够想象一下你要参与跑步，成果起点就在你起点转个身的位置，那你底子不消跑啊。同理，当你带点的载流子不跑就能到对面的阿谁区域，同窗，你那不是短路是什么？在mos管不加点的情况下就通电了，那还怎么玩？你家电闸的开关不管什么时候都是翻开的形态，你想象下那日子怎么过。再说的科学一点，附加解释上一条谜底，器件的性能并非和长度线性相关的，而是和一个叫宽长比的物理量相关，当然那也不是线性的。在微电子的世界里线性那个概念都是在良多约束下才气成立的。至于宽长比则是你的栅极的宽度和长度的比，也是你沟道宽度长度的比。那个再展开讲我能够给你讲半本模电半本半导体器件的书了。不再赘述，求知欲强的话找个靠谱的网站自行进修吧。
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国内Fab圈子太小，匿了匿了。固然大部门工程师都不逛知乎，但是不排除被人肉的可能，留点小奥秘吧。