1、不要利用双极型功率器件
因为双极型功率器件比MOSFET廉价，一般是2美分摆布一个，所以一些设想师为了降低LED驱动成本而利用双极型功率器件，如许会严峻影响电路的可靠性，因为跟着LED驱动电路板温度的提拔，双极型器件的有效工做范畴会快速缩小，如许会招致器件在温度上升时毛病从而影响LED灯具的可靠性，准确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的利用寿命要远远长于双极型器件。
2、不要选用耐压600V的MOSFET
耐压600V的MOSFET比力廉价，良多认为LED灯具的输入电压一般是220V，所以耐压600V足够了，但是良多时候电路电压会到340V，在有浪涌的时候，600V的MOSFET很容易被击穿，从而影响了LED灯具的寿命，现实上选用600VMOSFET可能节省了一些成本但是付出的却是整个电路板的代价，所以，不要选用600V耐压的MOSFET，更好选用耐压超越700V的MOSFET。
3、尽量不要利用电解电容
LED驱动电路中到底要不要利用电解电容?目前有撑持者也有反对者，撑持者认为若是能够将电路板温度控造好，依次达成耽误电解电容寿命的目标，例如选用105度寿命为8000小时的高温电解电容，按照通行的电解电容寿命预算公式“温度每降低10度，寿命增加一倍”，那么它在95度情况下工做寿命为16000小时，在85度情况下工做寿命为32000小时，在75度情况下工做寿命为64000小时，假设现实工做温度更低，那么寿命会更长!由此看来，只要选用高品量的电解电容对驱动电源的寿命是没有什么影响的!还有的撑持者认为由无电解电容带来的高纹波电流而招致的低频闪灼会对某些人眼形成心理上的不适，幅度大的低频纹波也会招致一些数码像机设备呈现差频闪灼的亮暗栅格。
4、尽量利用集成MOSFET
若是设想的LED灯具功率不是很高，建议利用集成了MOSFET的LED驱动器产物，因为如许做的益处是集成MOSFET的导通电阻少，产生的热量要比分立的少，别的，就是集成的MOSFET是控造器和FET在一路，一般都有过热关断功用，在MOSFET过热时会主动关断电路到达庇护LED灯具的目标，那对LED灯具十分重要，因为LED灯具一般很玲珑且难以停止空气散热。
5、尽量利用单级架构电路
若是PFC的效率是95%，而DC/DC部门的效率是88%，则整个电路的效率会降低到83。6%!PI的LinkSwitch-PH器件同时将PFC/CC控造器、一个725VMOSFET和MOSFET驱动器集成到单个封拆中，将驱动电路的效率提拔到87%。
然而，如许的器件可大大简化电路板规划设想，最多能省去传统隔离反激式设想中所用的25个元件。省去的元件包罗高压大容量电解电容和光耦器。LED两级架构适用于必需利用第二个恒流驱动电路才气使PFC驱动LED恒流的旧式驱动器。那些设想已颠末时，不再具有成本效益，因而在大大都情况下都更好接纳单级设想。