场效应管10n60参数为：Tn = 45mK, Ic = 3nA, Eg = -2.2V。
10n60 参数是 N沟道 MOSFET 功率，最大值为 10A 且工作在 600V 的标准条件下。
10N60 是耐压600V，电流最大值为 10A 的 N沟道场效应管。
要确定特定场效应管10n60的实际参数，请查看制造厂商或在线产品信息。
此信息可能因制造商或更新而有所变化，在选择场效应管时，请确保检查其规格以获得最佳性能。
场效应晶体管简称场效应管，它由多个电子通道的带隙状晶体组成，这些晶体中的载流子仅在一些特定的环境条件下相互移动，以形成一个可以放大电信号的路径。
场效应管广泛应用于各种场合，如电源管理、开关控制、数字电路和模拟电路等领域，它们的基本功能包括电流控制、开关操作以及在需要高质量输出信号的情况下进行放大。
以下是一些关于场效应管的实用建议：
1、根据具体应用场景选择合适的场效应管类型和型号。
2、考虑到栅极偏置电流、Trench深度、杂质密度等因素，对所选场效应管的具体参数进行精确计算和选择。
3、在实际应用中注意场效应管的工作条件和电源要求，例如工作温度、工作频率和静态电流等。
您可以在制造厂商的网站上查找有关场效应管的相关信息，如果您有任何疑问，也可以联系制造商或专业电子工程师寻求帮助。
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