什么是 MOSFET
“MOSFET” 是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是 “ 金属氧化物半导体场效应管 ” 。它是由金属、氧化物 (SiO2 或 SiN) 及半导体三种质料造成的器件。
所谓功率 MOSFET(Power MOSFET) 是指它能输出较大的工做电流 ( 几安到几十安 ) ，用于功率输出级的器件。
MOSFET 的构造
图 1 是典型平面 N 沟道加强型 MOSFET 的剖面图。它用一块 P 型硅半导体质料做衬底 ( 图 la) ，在其面上扩散了两个 N 型区 ( 图 lb) ，再在上面笼盖一层二氧化硅 (SiQ2) 绝缘层 ( 图 lc) ，最初在 N 区上方用侵蚀的办法做成两个孔，用金属化的办法别离在绝缘层上及两个孔内做成三个电极： G( 栅极 ) 、 S( 源极 ) 及 D( 漏极 ) ，如图 1d 所示。
从图 1 中能够看出栅极 G 与漏极 D 及源极 S 是绝缘的， D 与 S 之间有两个 PN 结。一般情况下，衬底与源极在内部毗连在一路。
图 1 是 N 沟道加强型 MOSFET 的根本构造图。为了改善某些参数的特征，如进步工做电流、进步工做电压、降低导通电阻、进步开关特征等有差别的构造及工艺，构成所谓 VMOS 、 DMOS 、 TMOS 等构造。
图 2 是一种 N 沟道加强型功率 MOSFET 的构造图。固然有差别的构造，但其工做原理是不异的，那里就纷歧一介绍了。
请看:都是MOS管,只是工艺和参数差别。
1、MOS管不克不及接受较大的功率。VMOS管从构造上较好地处理了散热问题，可造成大功率管。VMOS管的漏区散热面积大，便于安拆散热器，耗散功率达千瓦以上；漏-源击穿电压高，上限工做频次高。也称为功率场效应管。
2、MOS场效应管有加强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion MOS 或DMOS)两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
3、TMOS管是VMOS管的改良型。具有开关速度高、关断延迟时间短、反偏平安工做区大，dv／dt抗扰度高、费用低廉等长处。
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