在MOS三明治型构造上外加电压：在MOS三明治构造上，金属电极相关于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会构成与PN连系面不异的现象，也就是最后在氧化膜下会产生耗尽层（depletionlayer）HMOS反转层编纂反转层（reversionlayer）：针对氧化膜下为P型半导体的情况，若是再进步电压，就会累积电子，若是N型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”
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在MOS三明治型构造上外加电压：在MOS三明治构造上，金属电极相关于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会构成与PN连系面不异的现象，也就是最后在氧化膜下会产生耗尽层（depletionlayer）HMOS反转层编纂反转层（reversionlayer）：针对氧化膜下为P型半导体的情况，若是再进步电压，就会累积电子，若是N型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”